東京大學,理化學研究所,科學技術振興機構(JST)

令和3年4月15日

東京大學
理化學研究所
科學技術振興機構(JST)

トポロジカル反強磁性體において電気的に読み書き可能な信號の増強に成功

~超高速駆動する不揮発性メモリー素子の開発へ道筋~

ポイント

東京大學 大學院理學系研究科/東京大學 物性研究所 中辻 知 教授、肥後 友也 特任準教授、東京大學 物性研究所 Tsai Hanshen 特任研究員らの研究グループは、東京大學 物性研究所 大谷 義近 教授(理化學研究所 創発物性科學研究センター チームリーダー 併任)、理化學研究所 創発物性科學研究センター 近藤 浩太 上級研究員の研究グループ、東京大學 物性研究所 三輪 真嗣 準教授、坂本 祥哉 助教の研究グループと共同で、次世代の情報処理デバイスの主要材料として注目を集めている反強磁性體であるマンガン化合物MnSnと重金屬からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信號をこれまで報告されていた値よりも3倍大きくすることに成功しました。

反強磁性體はスピンのダイナミクスがテラヘルツ帯と強磁性體の場合に比べて2~3桁速く、磁性體間の相互作用が小さいため、磁気抵抗メモリーをはじめとする磁気デバイスをさらに高速化?高集積化できる可能性があります。MnSnはトポロジカルな電子構造に由來する巨大な応答を示す反強磁性體であり、磁気デバイス材料の有力候補として精力的に研究されています。今回、反強磁性體MnSn多層薄膜デバイスにおいて実証された電気的に読み書き可能な信號を増強する手法は、次世代の磁気デバイス開発に飛躍的な進展をもたらすことが期待されます。

本研究成果は2021年4月15日(中央ヨーロッパ夏時間)に國際科學雑誌「Small Science」オンライン版に公開されます。

本研究は、科學技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 チーム型研究(CREST)「トポロジカル材料科學に基づく革新的機能を有する材料?デバイスの創出」研究領域(研究総括:上田 正仁)における研究課題「電子構造のトポロジーを利用した機能性磁性材料の開発とデバイス創成」(研究代表者:中辻 知、課題番號:JPMJCR18T3)の一環として行われました。

<プレスリリース資料>

<論文タイトル>

“Large Hall Signal due to Electrical Switching of an Antiferromagnetic Weyl Semimetal State”
DOI:10.1002/smsc.202000025

<お問い合わせ先>

(英文)“Large Hall Signal due to Electrical Switching of an Antiferromagnetic Weyl Semimetal State”

前に戻る

成在人线AV无码免费高潮水